Der neue Fujitsu 8-Mbit-FRAM aus dem Hause Fujitsu Semiconductor Solutions bietet eine parallele Schnittstelle und bis zu 100 Billionen Lese- und Schreibzyklen. Damit ist er einer der besten seiner Klasse.
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Fujitsu 8-Mbit-FRAM: Nie da gewesene Geschwindigkeit überzeugt
Der neue Fujitsu 8-Mbit-FRAM überzeugt auf ganze Linie. Wie der Konzern Fujitsu Semiconductor Solutions bekannt gab, wird der Speicher über 100 Billionen Lese- und Schreibzyklen gewährleisten können und das ist Höchstgeschwindigkeit.
Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit wird um bis zu 30 Prozent höher ausfallen als bei den Vorgängermodellen. Gleichzeitig ist der Fujitsu 8-Mbit-FRAM ein Energiesparwunder und benötigt etwas 10 Prozent weniger Betriebsstrom. Der Speicher wird den SRAM in verschiedenen Industriemaschinen hochwertig ersetzen können und kommt überall dort zum Einsatz, wo der Hochgeschwindigkeitsbetrieb nötig wird.
Der neue 8-Mbit-FRAM von Fujitsu berücksichtigt Kundenanforderungen
FRAM ist nichts Neues und als nicht-flüchtiger Speicher schon lange mit den Vorteilen der besonders hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeit ausgestattet. Der Stromverbrauch ist bei FRAM ebenfalls generell sehr niedrig. Dabei wird dieser Speicher bereits seit über 20 Jahren hergestellt, der neue Fujitsu 8-Mbit-FRAM ist also kein grundsätzliches Novum.
Nun wurden aber die Anforderungen der Anwender berücksichtigt, wenn es um eine hohe Betriebsgeschwindigkeit und um den niedrigen Stromverbrauch geht. FRAM ist damit ebenso schnell wie SRAM bei niedrigem Energieverbrauch, wie er von FRAM bekannt ist.
Zusätzlich arbeitet der Speicher in einem weiten Spannungsversorgungsbereich und ist hier von 1,8 bis 3,6 Volt einsetzbar. Gleichzeitig handelt es sich um das erste Produkt seiner Art aus dem Hause Fujitsu, das eine derart hohe Anzahl von Lese- und Schreibzyklen sicherstellen kann.
Video: Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times
Große Vorteile durch den Fujitsu 8-Mbit-FRAM
Einige Vorteile wie der niedrige Stromverbrauch und die hohe Geschwindigkeit bei der Verarbeitung wurden bereits erwähnt. Wichtig zu erwähnen ist, dass der Stand-by-Strom ebenfalls sehr gering ist: Er beträgt nur 150 µA und liegt damit um rund die Hälfte niedriger als bisherige Speichermodelle. Der 8-Mbit-FRAM ist im Gehäuse des 4-Mbit-FRAM erhältlich, zusätzlich im 48-Pin-FBGA-Gehäuse.
Wichtiger Vorteil für den Anwender: Die Datenpufferbatterie wird hier nicht mehr benötigt. Diese ist in SRAM noch üblich. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass weder PCB-Design noch Schnittstellendesign geändert werden müssen, um eine niedrige Geschwindigkeit beim Schreiben und eine schlechte Speicherfähigkeit zu verhindern.
Auch in Zukunft möchte Fujitsu FRAM-Produkte entwickeln, die sich durch einen besonders niedrigen Stromverbrauch auszeichnen und die gleichzeitig deutlich geringere Mengen CO2 ausstoßen. Umweltfreundliche Speicherprodukte sollen durch das Unternehmen entwickelt werden, wobei die Produkte gleichermaßen die Anforderungen der Kunden, des Marktes und der Umwelt berücksichtigen sollen. Mit dem Fujitsu 8-Mbit-FRAM it das Unternehmen auf einem guten Weg dorthin.
Über Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Die Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. steht für hochwertige und nichtflüchtige Speicher, die sich in der Praxis als überaus zuverlässig erweisen. Speicher wie FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory haben bereits in mehreren Versionen den Markt revolutioniert. Gegründet wurde die Limited als Tochterunternehmen von Fujitsu Semiconductor Ltd. im Jahr 2020. Mittlerweile blickt das Unternehmen auf ein breites Vertriebs- und Entwicklungsnetzwerk auf dem europäischen, asiatischen und nordamerikanischen Kontinent, wo Halbleiterspeicherlösungen angeboten werden.
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